1、目的與法規(guī)框架
制藥潔凈室以“控制微生物和交叉污染、保障患者安全”為唯一目標(biāo)，其設(shè)計(jì)、運(yùn)行、驗(yàn)證全流程受《藥品生產(chǎn)質(zhì)量管理規(guī)范》（GMP）強(qiáng)制約束，任何參數(shù)偏離即構(gòu)成法規(guī)不符合。電子潔凈室以“提升產(chǎn)品良率、降低缺陷密度”為經(jīng)濟(jì)目標(biāo)，執(zhí)行ISO 14644 系列、SEMI 標(biāo)準(zhǔn)及企業(yè)內(nèi)部良率模型，法規(guī)屬性為自愿性，允許通過(guò)成本-收益權(quán)衡調(diào)整控制水平。
2、粒子分級(jí)與監(jiān)控閾值
制藥采用 ISO 14644-1 分級(jí)作為輔助，核心仍以 GMP 靜態(tài)/動(dòng)態(tài) A、B、C、D 四級(jí)為準(zhǔn)；A 區(qū)動(dòng)態(tài) ≥0.5 μm 粒子限值 3 520 個(gè)/m3，同時(shí)要求動(dòng)態(tài) ≥5 μm 粒子不得檢出（<1 個(gè)/m3）。電子行業(yè) 3 nm～10 nm 節(jié)點(diǎn)晶圓廠，核心區(qū)域普遍執(zhí)行 ISO 3 級(jí)（≥0.1 μm ≤1 000 個(gè)/m3），部分關(guān)鍵制程更要求≥0.05 μm 粒子≤100 個(gè)/m3；宏觀粒子（≥0.5 μm）僅作為參考，不設(shè)絕對(duì)禁止值。
連續(xù)監(jiān)控頻率：制藥 A 區(qū) 6 分鐘/次，B 區(qū) 30 分鐘/次，數(shù)據(jù)必須 100 % 納入批次放行報(bào)告；電子廠 FAB 核心區(qū) 1 分鐘/次，數(shù)據(jù)用于 SPC 趨勢(shì)，異?？伞跋壬a(chǎn)后分析”。
3、微生物控制
制藥把微生物作為“活粒子”納入粒子體系：A 區(qū)浮游菌 <1 CFU/m3，沉降菌 Φ90 mm 皿 <1 CFU/4 h；表面菌 <1 CFU/25 cm2；任何一次超標(biāo)即觸發(fā)批次偏差調(diào)查。電子潔凈室無(wú)微生物強(qiáng)制限值，僅在高純化學(xué)品或 EUV 光罩存儲(chǔ)區(qū)通過(guò) 19 nm 級(jí) ULPA 間接抑制，菌落檢出不作為產(chǎn)品報(bào)廢依據(jù)。
4、氣流組織與換氣次數(shù)
制藥 A 區(qū)采用單向流 0.36～0.54 m/s（指導(dǎo)值 0.45 m/s），工作面風(fēng)速衰減≤20 %；B、C、D 區(qū)非單向流，換氣 40～60 次/h，以“快速自?xún)簟倍恰皩恿饕种啤睘槟繕?biāo)。電子 FAB 核心區(qū) 0.25～0.35 m/s 垂直單向流，FFU 覆蓋率 50 %～80 %，允許 10 % 局部風(fēng)速偏差；換氣次數(shù)通常折算為 500～700 次/h，但不做法規(guī)下限要求，以粒子實(shí)測(cè)濃度反向驗(yàn)證。
5、壓差梯度
制藥不同等級(jí)區(qū)間必須維持 10～15 Pa 絕對(duì)壓差，同級(jí)別不同工序區(qū)間 ≥5 Pa；系統(tǒng)失壓 15 分鐘內(nèi)必須觸發(fā)聲光報(bào)警并啟動(dòng)偏差記錄。電子廠核心區(qū)與外部走廊壓差 2～5 Pa 即可，允許通過(guò) MAU 變頻短時(shí)下調(diào) 30 % 以節(jié)能；壓差丟失 30 分鐘內(nèi)可繼續(xù)生產(chǎn)，僅需記錄事件。
6、溫濕度控制精度
制藥常溫制劑：20 ℃±2 ℃，RH 45 %～65 %；生物原液車(chē)間 18 ℃±1 ℃，RH 40 %±5 %；超標(biāo)即判定批次環(huán)境偏差。電子 3 nm 節(jié)點(diǎn)：22 ℃±0.3 ℃（光刻區(qū)），RH 40 %±2 %；超出范圍時(shí)工程師可依據(jù) CD-SEM 實(shí)測(cè)線寬決定是否停機(jī)，允許在 0.5 ℃/2 %RH 擴(kuò)展區(qū)間繼續(xù)試產(chǎn)。
7、材料與表面要求
制藥內(nèi)裝必須可耐受 VHP 或 ClO? 殺孢子劑，不銹鋼 316L Ra ≤0.4 μm，接縫滿焊并圓角 R≥10 mm；墻板芯材需通過(guò) USP <87> 生物反應(yīng)性 I 級(jí)測(cè)試。電子廠側(cè)重離子析出與出氣：墻板采用鋁蜂窩+氟碳涂層，總離子析出 <0.5 μg/cm2（Na?+K?+Cl?），出氣率 <5 × 10?9 atm·cc/s（T=70 ℃, 24 h），允許使用硅酮密封膠但須低分子環(huán)硅氧烷 <50 ppm。
8、化學(xué)品與AMC控制
制藥重點(diǎn)控制內(nèi)毒素、微生物代謝產(chǎn)物及交叉污染，對(duì)有機(jī)氣體無(wú) ppm 級(jí)上限；只需滿足職業(yè)暴露限值 OEL。電子 5 nm 節(jié)點(diǎn)要求：酸蒸汽（SO?, NOx）<0.2 ppb，氨氣 <0.5 ppb，總有機(jī)碳 AMC-8 <1 ppb；使用實(shí)時(shí) PTR-TOF-MS 監(jiān)控，數(shù)據(jù)納入良率模型，濃度升高 2 ppb 即可觸發(fā)光刻焦距補(bǔ)償或暫停投片。
9、驗(yàn)證與持續(xù)合規(guī)
制藥潔凈室須完成 OQ/PQ、培養(yǎng)基模擬灌裝、三批次同步驗(yàn)證，驗(yàn)證狀態(tài)通過(guò)年度再驗(yàn)證與每月 EMS 數(shù)據(jù)回顧維持；任何變更≥“中等”級(jí)別須報(bào)藥監(jiān)部門(mén)備案。電子廠采用“連續(xù)性能確認(rèn)”（CPQ）模式：以 6 個(gè)月粒子/AMC 數(shù)據(jù)累積 Cpk≥1.33 即視為合格，產(chǎn)線改造只需內(nèi)部 QA 簽核，無(wú)需政府審批。
10、能耗與運(yùn)行成本對(duì)比
同等面積 2 000 m2 ISO 5 級(jí)區(qū)域，制藥因高換氣、高殺消頻率、冗余空調(diào)，年能耗 9 500～11 000 MWh；電子 FAB 通過(guò)干盤(pán)管+FFU 變頻+冷卻塔自由冷卻，年能耗 6 500～7 500 MWh，但 AMC 末端化學(xué)過(guò)濾器更換費(fèi)用占運(yùn)行成本 18 %，高于制藥的 8 %。
結(jié)論
制藥與電子潔凈室在粒子尺寸關(guān)注區(qū)間、微生物絕對(duì)控制、法規(guī)強(qiáng)制力、壓差及溫濕度容錯(cuò)率、材料化學(xué)兼容性、驗(yàn)證深度等六個(gè)維度存在本質(zhì)差異。廠務(wù)設(shè)計(jì)階段必須首先鎖定終端產(chǎn)品屬性，再反向推導(dǎo)關(guān)鍵參數(shù)，避免“以電子標(biāo)準(zhǔn)建藥廠”或“以 GMP 規(guī)范套用到晶圓廠”造成的合規(guī)失效或投資浪費(fèi)。
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